英诺赛科涨逾17%!纳微半导体与英伟达合作下一代800V电力架构,氮化镓和碳化硅技术在 ...

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英诺赛科(02577)早盘股价上涨16.76%,现报40.05港元,成交额2.96亿港元。

消息面上,纳微半导体美股盘后暴涨超200%。当地时间5月21日,纳微半导体宣布与英伟达合作开发下一代800伏高压直流(HVDC)架构,为包括Rubin Ultra在内的GPU提供支持的“Kyber”机架级系统供电。据悉,纳微半导体专注于下一代功率半导体技术,致力于开发高性能的氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率器件。纳微半导体的氮化镓和碳化硅技术可在一定程度上大幅提升“Kyber”机架级系统的能效比、散热管理和系统可靠性,将在与英伟达的合作中发挥关键作用。

公开资料显示,英诺赛科是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓(GaN-on-Si)研发与产业化的高新技术企业,采用IDM模式,集芯片设计、外延生长、芯片制造、封测于一体。该公司上月发布了自主开发的1200V氮化镓(GaN)产品,该款产品凭借宽禁带特性,在高压高频场景优势显著,具备零反向恢复电荷的核心优势,有助于进一步推动能源转换系统的效率提升和小型化,可广泛应用于新能源汽车、工业以及AI数据中心等领域。

(责任编辑:宋政 HN002)

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