阡乐科技获悉，东方证券发布研报称，SST长期有望成为数据中心直流供电变压方案的最佳选择，英伟达(NVDA.US)在AIDC白皮书中指出将SST方案作为远期供电架构主流技术方案。HVDC、SST等供电新方案方向明确，AI服务器及数据中心需求有望打开SiC/GaN功率器件成长空间。此外，HVDC、SST等供电新方案的发展以及SiC/GaN功率器件的成熟有望助力服务器电源厂商打开市场空间。

东方证券主要观点如下：

AIDC高压、高效成为重要趋势，HVDC、SST等供电新方案需求方向明确

从通算到智算，AIDC的电力需求激增，高压、高效成为重要趋势。现有供电链路包含多级AC/DC与DC/DC转换，层层损耗让效率降低，增加了故障点与维护负担。随着单机柜功耗的不断提升，继续采用传统交流配电方案将推高下一代数据中心部署的资本支出和运营成本。因此，更高效、更紧凑、更智能的供电架构已成为迫切需求。基于提升数据中心供电效率的要求，英伟达联合产业链伙伴提出使用800VHVDC供电架构，有望大幅提升供电效率、节省电费。进一步地，SST固态变压器有望成为未来主流的供电系统变压方案。SST通过电力电子技术实现能量传递和电力变换，与传统变压器比，SST具有效率更高、电力品质更好、模块化程度高、性能稳定等优点，能大幅提升空间利用率和供电效率。SST长期有望成为数据中心直流供电变压方案的最佳选择，英伟达在AIDC白皮书中指出将SST方案作为远期供电架构主流技术方案。

部分投资者认为SiC/GaN行业未来成长空间可能有限

根据Yole和灼识咨询数据，2024年碳化硅在全球功率半导体中的渗透率为4.9%;根据弗若斯特沙利文数据，2023年氮化镓在功率半导体中的渗透率为0.5%。由于碳化硅车型在新能源车领域的渗透率逐步迈向较高水平等原因，部分投资者认为宽禁带半导体未来需求成长空间可能有限。

该行认为，HVDC、SST等AIDC供电新方案对SiC/GaN器件需求提升，有望打开产业成长空间

相比传统硅基器件，宽禁带半导体器件能提高电源功率密度，减小变压器体积。未来HVDC供电架构中，SST、DC-DC电源等环节对SiC/GaN均具有较强确定性需求。英伟达已经宣布与纳微半导体、英诺赛科、英飞凌等多家SiC/GaN厂商合作。该行认为，SiC/GaN在AIDC供电系统中的应用潜力尚未完全挖掘，根据行家说三代半公众号及纳微半导体数据，到2030年应用于800VHVDC数据中心供电系统的SiC/GaN市场规模可达27亿美元。未来，AI算力设施SiC/GaN器件需求有望持续提升，打开产业成长空间。

风险提示

消费电子需求不及预期，AI落地不及预期，竞争格局变化。